发射极

摘要： 通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶硅薄膜厚度、发射极材料特性以及TCO功函数对电池性能的影响。结果表明:在其它参数不变的条件下,硅衬底电阻率越低,转换效率越高;发射极非晶硅薄膜厚度对短路电流有较大影响,发射极掺杂浓度低于7.0×10^(19)cm^(-3)时,电池各项性能参数都极差;TCO薄膜功函数应大于5.2 eV,以保证载流子的输运收集。

摘要： 一台MP3插卡有源音箱,不通电。拆机观察,该机采用双17V变压器降压,三极管V1(D2396)串联稳压,如图1所示。测得V1集电极电压约为23V,基极电压约为22.6V,但发射极电压为0V。拆下V1测量,其b-e结已开路,b-c结正向电阻为19kΩ,反向电阻为28kΩ。

摘要： 为了改善电喷雾推力器性能,提高束流引出效率,使用COMSOL软件对电喷雾推力器不同结构参数下的电场分布与发射粒子轨迹进行了仿真,结果表明在引出电压一定的情况下,发射极尖端场强受发射极结构参数影响明显,随发射极棱条宽度及棱条间距的增大而增大;引出栅极结构对束流引出效率影响显著,扩张孔结构的引出效率优于直孔结构,引出栅孔的宽度增大也有利于引出效率的提高;两极间距对引出效率也有较大影响,减小两极间距有利于提高引出效率;横向装配误差会明显影响发射粒子的运动轨迹,但对引出效率的影响不大.

摘要： 离子注入以其掺杂均匀可控、便于图形化掺杂及简化太阳电池生产工艺的特点在光伏界引起广泛的关注,但同时也存在着注入缺陷难以消除的缺点.该文通过对硼注入发射极退火特性进行研究,发现样品的Jor(发射极饱和电流)、少子寿命teff、Imp_V,c(理论开路电压)均随退火温度的升高得到显著改善.为进一步研究其机理,采用椭圆偏振光光谱对晶格损伤进行表征,并借助TCAD软件模拟分析注入后热处理所产生的硼硅团簇(BIC)等缺陷状态,从损伤修复和杂质激活两方面对硼(B)注入发射极Jor随退火温度变化的机制做出解释.

摘要： 与传统的化学推进相比,电推进具有高比冲、小推力、长寿命等特点,能够大幅节省推进剂、增加有效载荷质量,从而增加航天器在轨寿命,提高航天器的整体性能与收益,特别适合用于航天器的姿态控制、轨道转移和深空探测等任务.场发射电推力器是一种具有比冲高、推力冲量分辨率高、推力噪声低、功耗及成本低、结构紧凑等优点的电推力器,是重力梯度卫星的高精度阻力补偿、微纳卫星的姿态控制和轨道转移、星座编队飞行等任务最有前景的推进技术之一.简述了场发射电推力器的工作原理、结构和特点,重点分析了国内外场发射电推力器的研究现状以及关键技术.

摘要： 在很多应用中,尤其是测试和测量领域,您都需要借助外部装置或数字模拟转换器设置反相降压/升压稳压器的输出电压。在常规的降压拓扑中,这种操作很简单:只需要借助一个带有串联电阻器的电压电源、一个电流源或者一个DAC将电流导入反馈节点,如图1所示。DO。但是,如果您需要改变降压-升压拓扑中的电阻器的电压,就有一点麻烦了。

摘要： 国际发射服务公司称，即将推出的简版“中型质子号”可用来向一些新轨道发射，质子号火箭将能更好地竞争星座部署及其它发射任务。“中型质子号”采用三级配置，所需落区减少，这意味着其将能在拜科努尔发射场向以往达不到的轨道倾角发射，尤其是极轨发射。

摘要： 针对自主研发的堆芯在线监测系统的需求,对自给能探测器发射极材料特性开展了研究.首先分析了三类发射极的特点.其次,基于压水堆典型燃料组件对铑和钒开展了电流强度和燃耗的分析计算.数值结果表明:1)铑发射体电流较强,但燃耗较快,对计算模型精度要求较高;2)钒燃耗浅,但电流响应仅有铑的15％.本文建议选择铑作为堆芯在线监测系统的发射极材料.

摘要： 热离子能量转换是一种基于热电子发射从而实现热能到电能直接转换的静态转换技术,在深空探测中具有广泛的应用前景.本论文利用电子背散射衍射技术(EBSD)、金相显微技术以及电子探针技术研究了热离子能量转换器1600°C下服役1000h的发射极显微组织.研究结果表明,在发射极单晶钨涂层表面出现小晶粒,有贯穿整个涂层的小晶粒,也有未贯穿整个涂层的小晶粒.沿发射极轴向方向越靠近中间位置,钨、钼元素互扩散深度越大,最大互扩散深度约为18μm.发射极下端塞焊缝区域整个薄壁管厚度内组织基本为单晶状态,”鼓包”组织为多晶状态;上端加长段焊缝区域,不仅产生了少量的小角晶界,也产生了贯穿整个发射极壁厚的大角晶界,且焊缝组织沿环向存在不均匀现象.

摘要： 本文利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD软件的工艺仿真模块模拟了单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到了与测试结果相一致的掺杂分布曲线.在工艺仿真基础上,利用TCAD软件的器件仿真模块计算了电池的转换效率,发现通过降低扩散温度以及在扩散之后加入热氧化工艺可以减小发射极表面附近的掺杂,从而减小发射极复合以及表面复合,而且热氧化还可以减少发射极方阻,如果电池接触电阻增加较小的话,上述工艺可以提高转换效率.

摘要： 本文采用波长为532 nm的激光脉冲在n 型单晶硅衬底上扫描预置的硼源,进行制备太阳电池发射极研究,利用全激光掺杂实现了方块电阻最低为35 Ω/□的发射极,经过退火后少子寿命大幅度提升.在此基础上,初步制备的太阳电池开路电压Voc 达到543 mV,研究表明,激光掺杂是一种有效的制备太阳电池发射极的方法.但由于短路电流密度Jsc,填充因子FF 太低,转换效率较低.

摘要： 本文研究了提升高效n型双面电池效率，对于磷掺杂的n型硅片，光照会导致硅体和表面的衰减，对于n型硅片-硼掺杂发射极，检测到了相似的结果。在黑暗加温情况下，反应速率比较慢；在1个太阳光照条件下，反应速率增加了1.5个数量级。

摘要： 航空机电行业需要高效电池、低成本多晶黑硅和高效组件封装技术，发射极与金属化复合电流密度、背面金属-硅接触结构设计是高效电池组件未来趋势。

摘要： 介绍了表面光伏谱测试，表面光伏谱的分析计算模型，结论无前表面遮光损失的IBC电池IBC电池的开路压主要取决于硼扩散发射结表面钝化。

摘要： 本文研究了太阳电池发射极制造过程中，快速热处理（RTP）对磷在硅中扩散的影响。扩展电阻和方块电阻测试结果显示，950°C和1100°C下，短时间的RTP 处理得到了在常规热处理条件下长时间才能得到的pn 结结深，说明RTP 对磷扩散有明显的促进作用。不同扩散时间、扩散温度下得到的数据比较显示，扩散时间越长，扩散温度越高，pn结就越深。这和扩散的传统理论是一致的。

摘要： 公开了具有两种类型的发射极区的发射极的双极型晶体管器件。双极型半导体器件包括具有第一表面的半导体本体以及在半导体本体中的第一发射极区和第一掺杂类型的基极区，第一发射极区邻接第一表面，且包括与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第一类型发射极区、第二掺杂类型的多个第二类型发射极区、第一掺杂类型的多个第三类型发射极区和包括复合中心的复合区，第一类型发射极区和第二类型发射极区从第一表面延伸进入半导体本体，第一类型发射极区比第二类型发射极区具有更高的掺杂浓度且从第一表面更深地延伸进入半导体本体，第三类型发射极区邻接第一类型发射极区和第二类型发射极区，复合区至少位于第一类型发射极区和第三类型发射极区中。

摘要： 本发明提供了一种异质结双极晶体管发射极的薄化方法，发射极层和发射极盖帽层之间还具有由上至下层叠设置的第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层；第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层对不同蚀刻液的选择蚀刻比不相同；薄化过程包括如下步骤：1)在发射极盖帽层上沉积发射极金属后，蚀刻发射极盖帽层；2)蚀刻第一蚀刻停止层，第二蚀刻停止层不受影响；3)蚀刻第二蚀刻停止层和发射极盖帽层，第一蚀刻停止层不受影响；4)蚀刻第一蚀刻停止层和发射极层，第二蚀刻停止层不受影响；5)在基电极层沉积基电极金属。从而在不需外加光刻胶或介电层(dielectric)材料做薄化刻蚀掩膜条件下,完成发射极薄化工艺。

摘要： 本发明公开了一种选择性发射极和选择性发射极电池的制备方法，该选择性发射极的制备方法包括以下步骤：将掩膜板覆盖在制绒后的硅片上，送入到扩散炉中进行高掺杂深扩散和低掺杂浅扩散，在硅片电极区域和非电极区域分别形成高掺杂深扩散区和低掺杂浅扩散区，退火，去除掩膜板，完成制备。选择性发射极电池的制备方法包括上述选择性发射极的制备步骤。本发明选择性发射极的制备方法，无需额外增加工序和设备，也不需对现有设备和工艺进行较大规模的改造和调试，可以兼容现有产线设备实现选择性掺杂，具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、兼容性好、生产效率高等优点，对于制备低成本、高光电转换效率的选择性发射极电池具有十分重要的意义。

摘要： 公开了具有两种类型的发射极区的发射极的双极型晶体管器件。双极型半导体器件包括具有第一表面的半导体本体以及在半导体本体中的第一发射极区和第一掺杂类型的基极区，第一发射极区邻接第一表面，且包括与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第一类型发射极区、第二掺杂类型的多个第二类型发射极区、第一掺杂类型的多个第三类型发射极区和包括复合中心的复合区，第一类型发射极区和第二类型发射极区从第一表面延伸进入半导体本体，第一类型发射极区比第二类型发射极区具有更高的掺杂浓度且从第一表面更深地延伸进入半导体本体，第三类型发射极区邻接第一类型发射极区和第二类型发射极区，复合区至少位于第一类型发射极区和第三类型发射极区中。

摘要： 本发明提供一种选择性发射极结构、制备方法及选择性发射极晶硅电池，所述选择性发射极结构包括硅衬底，所述硅衬底的正面上分为电极接触区和非电极区，所述电极接触区上依次叠设有介质层和掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层上结合有金属电极，所述非电极区上依次叠设有第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层。上述结构在电极接触区采用超薄氧化硅/重掺杂多晶硅结构实现选择性接触，从而大大降低金属电极区的接触复合损失，非电极区采用三层钝化结构，可同时解决晶硅电池正面选择性接触问题和钝化问题，最终提高了电池的开路电压、填充因子及转换效率。

摘要： 本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极的制备方法，包括在制绒后硅片的表面制备重掺杂区和轻掺杂区，先在硅片表面覆盖一层硼掺杂剂，硼掺杂剂的覆盖区域不小于重掺杂区的区域大小；再对位于重掺杂区的硼掺杂剂进行激光掺杂形成硼化硅；然后对硼化硅进行高温推进，形成重掺杂区；接着在硅片表面形成轻掺杂区；制得硼掺杂选择性发射极。本发明利用激光掺杂形成硼化硅以及高温推进硼化硅形成重掺杂区，所用激光功率低，对硅片绒面友好，保证硅片绒面陷光效果的同时实现重掺杂区的制备；本发明在激光掺杂工序后增加一道碱液或酸液清洗工序，很好地去除了硅片表面残留的硼掺杂剂及附着的杂质，硅片的少子寿命不会降低。

摘要： 本申请公开了一种硅异质结太阳能电池发射极。所述发射极包括：n型硅基底，所述n型硅基底具有发射极面；形成在所述发射极面上的第一本征钝化层；形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层；以及形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层；所述吸附原子层包括沉积在所述p型硅掺杂层的表面且与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子。本申请还公开了所述硅异质结太阳能电池发射极的制备方法和一种硅异质结太阳能电池。本申请的发射极的p型硅掺杂层和TCO界面对n型硅基底的空穴的的肖特基势垒的高度较低，硅异质结太阳能电池的填充因子和转换效率较高。

摘要： 本发明公开了一种选择性发射极和选择性发射极电池的制备方法，该选择性发射极的制备方法包括以下步骤：将掩膜板覆盖在制绒后的硅片上，送入到扩散炉中进行高掺杂深扩散和低掺杂浅扩散，在硅片电极区域和非电极区域分别形成高掺杂深扩散区和低掺杂浅扩散区，退火，去除掩膜板，完成制备。选择性发射极电池的制备方法包括上述选择性发射极的制备步骤。本发明选择性发射极的制备方法，无需额外增加工序和设备，也不需对现有设备和工艺进行较大规模的改造和调试，可以兼容现有产线设备实现选择性掺杂，具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、兼容性好、生产效率高等优点，对于制备低成本、高光电转换效率的选择性发射极电池具有十分重要的意义。

摘要： 本发明涉及一种选择性发射极及其制备方法、选择性发射极电池。选择性发射极的制备方法包括如下步骤：将导热板覆盖在表面含有磷源或硼源的硅片上；采用激光扫描导热板，以使硅片在激光作用下形成轻掺区和重掺区。本发明的发明人创新性地将导热板覆盖在表面含有磷源或硼源的硅片上，然后激光扫描导热板，此时导热板累积一定的温度，从而将激光的能量转移到硅片上，实现对硅片的轻掺和重掺，而不会损伤硅片，提高了电池的性能和转化效率。且，该制备方法仅通过激光和导热板，无需额外的设备和辅材，简单方便，适合工业产业化。

摘要： 本实用新型涉及太阳能电池生产领域。一种晶硅电池发射极激光选择性发射极图案，该晶硅电池结构从背面到正面依次为背银电极、全铝背场或铝栅线、背面钝化膜、背面激光开槽、基体P型硅、N型发射极、正面激光镂空槽、正面钝化膜、非连续镂空激光图案银电极，非连续镂空激光图案银电极对于处于正面激光镂空槽上，其中非连续镂空激光图案银电极由多条平行的激光镂空的银线构成，每条激光镂空的银线都有虚线段和实线段构成，相邻两条激光镂空的银线的虚线段与实线段彼此交错。本实用新型降低了金属化的串联电阻，从而可实现金属化区域局部的接触钝化，最终提高电池的转换效率。