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硅异质结太阳能电池及其发射极和发射极的制备方法

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本申请公开了一种硅异质结太阳能电池发射极。所述发射极包括：n型硅基底，所述n型硅基底具有发射极面；形成在所述发射极面上的第一本征钝化层；形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层；以及形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层；所述吸附原子层包括沉积在所述p型硅掺杂层的表面且与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子。本申请还公开了所述硅异质结太阳能电池发射极的制备方法和一种硅异质结太阳能电池。本申请的发射极的p型硅掺杂层和TCO界面对n型硅基底的空穴的的肖特基势垒的高度较低，硅异质结太阳能电池的填充因子和转换效率较高。

著录项

公开/公告号CN111370521A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-03

原文格式PDF
申请/专利权人君泰创新(北京)科技有限公司;
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申请/专利号CN201811603686.8
发明设计人龙巍;
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申请日2018-12-26
分类号H01L31/0747(20120101);H01L31/0352(20060101);H01L31/20(20060101);
代理机构11262 北京安信方达知识产权代理有限公司;
代理人陈丹;张奎燕
地址 100176 北京市大兴区亦庄经济技术开发区荣华南路9号院2号楼10层
入库时间 2023-12-17 10:24:54

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2020-07-03

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