InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色红外焦平面探测器

朱旭波; 彭震宇; 曹先存; 何英杰; 姚官生; 陶飞; 张利学; 丁嘉欣; 李墨; 张亮; 王雯; 吕衍秋

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InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器器件结构设计、材料外延、芯片制备,对钝化方法进行了研究,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器。首先以双色叠层背靠背二极管电压选择结构作为基本结构,设计了中/短波双色芯片结构,然后采用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷密度的PNP结构超晶格材料。采用硫化与SiO2复合钝化方法,最终制备的器件在77 K下中波二极管的RA值达到13.6 kΩ·cm~2,短波达到538 kΩ·cm~2。光谱响应特性表明短波响应波段为1.7～3μm,中波为3～5μm。双色峰值探测率达到中波3.7×1011cm·Hz1/2W-1以上,短波2.2×1011cm·Hz1/2W-1以上。响应非均匀性中波为9.9%,短波为9.7%。中波有效像元率为98.46%,短波为98.06%。

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来源
《红外与激光工程》|2019年第11期|102-107|共6页
作者
朱旭波; 彭震宇; 曹先存; 何英杰; 姚官生; 陶飞; 张利学; 丁嘉欣; 李墨; 张亮; 王雯; 吕衍秋;
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作者单位

1. 中国空空导弹研究院 2. 红外探测器技术航空科技重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
InAs/GaSb超晶格; 双色; 中短波; 焦平面阵列; 红外探测器;

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