InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究（英文）

姚官生; 张利学; 张向锋; 张亮; 张磊

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InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究（英文）

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InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体（Cl2基,Ar基和CH4基）对超晶格的刻蚀效果,SEM结果表明,CH4基组分能够得到更加平整的表面形貌和更少的腐蚀坑;之后采用湿法腐蚀工艺,用于消除干法刻蚀带来的刻蚀损伤,分别研究了酒石酸系和磷酸系两种腐蚀溶液的去损伤效果,结果表明,磷酸系腐蚀液的去损伤效果更好,且腐蚀速率更加稳定。采用优化的台面工艺制备了InAs/GaSb SLs探测器,其I-V特性曲线表明二极管具有较低的暗电流,其77 K时动态阻抗R0A=1.98×104Ωcm2。

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来源
《红外与激光技术》 |2015年第3期|951-954|共4页
作者
姚官生; 张利学; 张向锋; 张亮; 张磊;
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作者单位

1. 中国空空导弹研究院 2. 红外探测器技术航空科技重点实验室 3. 西北工业大学;

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正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
InAs/GaSb超晶格; 干法刻蚀; 湿法腐蚀; 台面;

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