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一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法及InAs/GaSb超晶格

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本发明提供了一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAs/GaSb超晶格，其中，InAs/GaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：打开Sb炉源的快门6s；同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb层的外延生长。本发明可有效降低As背景压强扰动对于超晶格生长的影响，精确控制InAs五三比，提高超晶格晶体质量，提高红外探测器件性能。

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公开/公告号CN115732594A

专利类型发明专利
公开/公告日2023-03-03

原文格式PDF
申请/专利权人广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学;
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申请/专利号CN202211308872.5
发明设计人祝连庆;刘昭君;张东亮;柳渊;鹿利单;郑显通;
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申请日2022-10-25
分类号H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/10;
代理机构北京恒律知识产权代理有限公司;
代理人庞立岩
地址 511400 广东省广州市南沙区望江二街4号601房之03室
入库时间 2023-06-19 18:39:13

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2023-03-03

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