2～5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器

徐应强; 汤宝; 王国伟; 任正伟; 牛智川

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2～5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器

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采用分子束外延方法在GaSb和GaAs衬底上生长了不同周期厚度的InAs/GaSb高质量II型能带结构超晶格红外探测器,其探测波长覆盖2~5μm红外波段。采用高分辨透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射测试、室温与低温光电流响应谱及室温与低温光荧光谱等多种测试手段检验了分子束外延生长在不同衬底上的超晶格材料质量与光学质量。该材料用于制造2~5μmGaAs基与GaSb基InAs/GaSb超晶格红外探测器。在77K温度下,2μm波段GaAs基InAs/GaSb超晶格红外探测器探测率为4×109cm·Hz1/2/W,5μm波段GaSb基InAs/GaSb超晶格红外探测器探测率为1.6×1010cm·Hz1/2/W。

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来源
《红外与激光技术》 |2011年第8期|1403-1406|共4页
作者
徐应强; 汤宝; 王国伟; 任正伟; 牛智川;
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作者单位

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
InAs/GaSb超晶格; 红外探测器; 分子束外延;

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