PECVD系统中Ar等离子体电子特性的研究

机译：Ar / H-2 / C2H2等离子体中碳薄膜中纳米颗粒的低压PECVD：膜的合成和电子能量分布函数的分析

机译：使用HMDSO / Ar等离子体沉积在TiO2和SiO2-ZrO2中间层上的PECVD衍生的有机硅膜的高温稳定性

机译：使用C4F8 / O-2 / Ar化学方法对氮化硅PECVD腔室进行远程等离子体清洗过程中，含氮添加剂气体对整体变暖气体排放的影响

机译：重复Ar +轰击对等离子体增强化学气相沉积（PECVD）锡膜的影响

机译：PECVD反应器中的等离子体和粒子动力学建模。

机译：射频等离子体增强化学气相沉积（RF PECVD）反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响

机译：激光诱导的等离子体中电子特性的波长依赖性变化：组合的流体动力和绝热膨胀建模和时间门控，光学发射成像研究

机译：ar，CHF3 / ar和CHF3 / ar / O2混合物中电感耦合等离子体中的质谱和Langmuir探针测量

机译：使用移动终端的AR实施系统，使用AR的方法，在线购买系统以及能够研究激光粉的激光的方法

机译：用H _{2 等离子体原位去除氟化等离子体中PECVD残留的方法}

机译：扁平型等离子诊断设备件型等离子诊断设备，配备平面等离子诊断设备静电卡盘嵌入平面等离子体诊断系统中。 本研究是一种材料创新计划（NRF）材料创新计划（1711120490 / 2020M34A3106004），由科学和技术信息和通信部门提供支持。委托为51％）韩国国家科技研究协会（NST）研发 同盟计划（1711062007 / CAP-17-02-NFRI-01）由Kriss支持。