薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响

赵晓锋; 温殿忠; 王天琦; 丁玉洁

首页> 中文期刊> 《功能材料》 >薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响

薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响.结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强.

著录项

来源
《功能材料》 |2010年第10期|1753-1756|共4页
作者
赵晓锋; 温殿忠; 王天琦; 丁玉洁;
展开▼
作者单位

黑龙江大学,黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150080;

黑龙江大学,集成电路重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150080;

黑龙江大学,黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150080;

黑龙江大学,集成电路重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150080;

黑龙江大学,集成电路重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150080;

黑龙江大学,集成电路重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150080;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
纳米多晶硅薄膜; 结构特性; LPCVD; 退火;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 退火温度对MoS2纳米薄膜微特性及光学性能的影响 [J] . 成桢 . 信息记录材料 . 2020,第002期
2. 退火温度对MoS2纳米薄膜特性影响研究 [J] . 林拉1 ,陈康烨1 ,何杰1 . 纳米技术 . 2013,第003期
3. 退火温度对TiO_2纳米薄膜酒精气敏特性影响的研究(英文) [J] . 李阳 . 光子学报 . 2009,第8期
4. 退火温度对纳米TiO2薄膜的乙醇气敏特性的影响 [J] . 潘国峰 ,何平 ,孙以材 . 材料科学与工程学报 . 2007,第006期
5. 退火温度对纳米ZnO薄膜结构与发光特性的影响 [J] . 陈晓清 ,谢自力 ,张荣 . 微纳电子技术 . 2004,第11期
6. 多晶硅薄膜结构对多孔多晶硅薄膜发光强度的影响 [C] . 黄维宁 ,汤国英 . 第六届全国固体薄膜学术会议 . 1998
7. 基于MEMS技术纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性研究 [A] . 潘东阳 . 2014

薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅