利用半导体InGaN/GaN量子阱的高效太阳电池

田燕

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利用半导体InGaN/GaN量子阱的高效太阳电池

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在简述了量子结构太阳电池的发展及研究现状的基础上,从量子结构太阳电池的结构模型出发,用第一性原理来计算极限效率,并根据Shockley-Queisser极限和Pin结的细致平衡原理,对InGaN量子结构太阳电池的极限效率、光学性质和电学性质进行了相关的理论分析和计算,细致平衡模型计算,当势垒为1.73eV,势阱为1.12eV时,电池转换效率为58.4％；势垒为1.89eV,势阱为1.35eV时,电池转换效率为55.3％.

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来源
《海南师范大学学报（自然科学版）》 |2013年第2期|156-160188|共6页
作者
田燕;
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作者单位

宁夏大学物理电气信息学院,宁夏银川 750004;

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正文语种 chi
中图分类光电池;
关键词
太阳电池; 量子结构; 极限效率; 量子阱;

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