等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究

朱永丹; 杨建平; 李兴鳌; 左安友; 袁作彬

首页> 中文期刊> 《湖北民族大学学报：自然科学版》 >等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究

等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用,就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅,多晶硅的原理和如何控制形状(profile)和深沟道的深度做了研究,解释了HBr,NF3,He_30%O2气体,压力对蚀刻速率,Si/SiO2蚀刻选择比的影响.结果表明:蚀刻率随HBr流量的增大而增大,压力和侧壁保护气体He_30%O2控制着整个蚀刻图形.

著录项

来源
《湖北民族大学学报：自然科学版》 |2008年第2期|179-182|共4页
作者
朱永丹; 杨建平; 李兴鳌; 左安友; 袁作彬;
展开▼
作者单位

湖北民族学院信息工程学院;

湖北民族学院理学院;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O593;
关键词
集成电路制造; 等离子体蚀刻; 蚀刻率; 选择比;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. ECR等离子体蚀刻多晶硅时的反应生成物和蚀刻形状 [J] . 文心 . 等离子体应用技术快报 . 1997,第011期
2. 在高密度螺旋波等离子体蚀刻器上蚀刻0.35μm多晶硅栅极 [J] . 甘德昌 . 等离子体应用技术快报 . 1996,第011期
3. 高密度电感耦合等离子体反应器在多晶硅蚀刻中的应用 [J] . PatriR ,张振德 . 国外核聚变与等离子体应用 . 1995,第003期
4. 印制电路板制造中大腔体等离子体机的蚀刻均匀性研究 [J] . 吴振龙 ,付艺 ,孙威 . 印制电路信息 . 2021,第005期
5. 等离子体蚀刻在提高传感器芯片强度方面的研究 [J] . 金则清 ,李万品 . 电子技术与软件工程 . 2021,第016期
6. 氢等离子体钝化多晶硅的初步研究 [C] . 王晓泉 ,杨德仁 . 中国第七届光伏会议 . 2002
7. 0.11微米DRAM深沟蚀刻设备改进 [A] . 孙虎 . 2007

等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅