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通过InGaAsP外延层的InP深Zn扩散理论与实验研究

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研究了Zn在InP、InGaAsP以及InGaAsP/InP中的扩散,扩散结深均与时间的平方根成正比.对于InGaAsP/InP单异质结,扩散结深还与InGaAsP覆盖层的厚度x_0有关.推导出其结深与扩散时间的函数关系为x_j/t^(1/2)=-x_0/(rt^(1/2))+I.

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来源
《红外与毫米波学报》 |1992年第2期|149-152|共4页
作者
肖德元; 徐少华;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.26;
关键词
扩散; 光电子器件; 锌; 磷化锢; Zn;

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