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Ge掺杂Sm_(0.2)Ce_(0.8)O_(1.9)电解质材料制备与性能研究

         

摘要

采用溶胶凝胶法合成了不同Ge含量的Ge_(x)Sm_(0.2)Ce_(0.8-x)O_(1.9)(x=0~0.04,xGSDC)电解质粉体.XRD结果表明:Ge^(4+)在xGSDC电解质中的固溶度低于4%;SEM和致密度结果分析表明1GSDC比SDC具有更高的致密度,Ge掺杂提高材料的烧结性能,1450℃烧结的1GSDC的致密度为99.30%;1450℃烧结的1GSDC在750℃下电导率为0.050 S·cm^(-1),而SDC在750℃下的电导率为0.034 S·cm^(-1),Ge的掺杂提高了1GSDC的晶界电导;以1GSDC为电解质的单电池在750℃的最大功率密度达到552 mW/cm^(2).

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