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等离子体氧化制备超薄SiO_2层的性质

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摘要

利用等离子体氧化方法在单晶硅片上制备了厚度小于 10 nm的超薄 Si O2 层 .通过傅里叶红外光谱 (FTIR)、X射线光电子谱 (XPS)、透射电子显微镜 (TEM)、椭圆偏振法和电流电压 (I- V)、电容电压 (C- V)

著录项

来源
《半导体学报》 |2001年第8期|1011-1014|共4页
作者
鲍云; 蒋明; 李伟; 马忠元; 黄少云; 王立; 黄信凡; 陈坤基;
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作者单位

南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.21;TN304.055;
关键词
超薄氧化; 等离子体氧化; 二氧化硅;

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