SiC基和Si基永磁同步电动机驱动器的比较

谢昊天; 秦海鸿; 聂新; 朱梓悦; 马策宇

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SiC基和Si基永磁同步电动机驱动器的比较

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SiC MOSFET比Si IGBT具有更快的开关速度和更高的结温工作能力,有利于减小永磁同步电动机(PMSM)驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率.针对1 kW PMSM,对功率器件分别采用Si IGBT和SiC MOSFET的PMSM驱动器进行了功率损耗计算分析,并对死区效应的影响进行了阐述和仿真分析.设计制作了基于两种功率器件的PMSM驱动器,对损耗、效率、散热器温升以及低速下死区效应的影响进行了实验对比,研究表明,SiC MOSFET可使PMSM驱动系统获得更高的效率、功率密度和更好的动态性能.

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来源
《上海电机学院学报》|2015年第3期|128-135|共8页
作者
谢昊天; 秦海鸿; 聂新; 朱梓悦; 马策宇;
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作者单位

江苏省新能源发电与电能变换重点实验室南京航空航天大学,南京210016;

江苏省新能源发电与电能变换重点实验室南京航空航天大学,南京210016;

江苏省新能源发电与电能变换重点实验室南京航空航天大学,南京210016;

江苏省新能源发电与电能变换重点实验室南京航空航天大学,南京210016;

江苏省新能源发电与电能变换重点实验室南京航空航天大学,南京210016;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类同步电机;
关键词
碳化硅; 永磁同步电动机; 高开关速度; 开关损耗;
入库时间 2023-07-25 23:06:51

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