SiH_4射频辉光放电等离子体特性的光发射研究

石旺舟; 林揆训; 林璇英; 姚若河

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采用ＯＭＡ－４０００测量了ＳｉＨ_４射频辉光放电等离子体的光发射谱，研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。结果表明：在放电射频功率增加和反应气体流量升高的过程中。其等离子体状态分别发生了性质不同的转变，这种转变联系到射频功率耗散机制的变化。当反应气体流量增加时，电子获得能量的机制由阴极暗区加速转变为等离子体内电场的加热效应；而在放电功率升高的过程中，离子轰击阴极产生的二次电子发射效应导致了光发射谱强度急剧增强的转变。

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来源
《汕头大学学报：自然科学版》 |1997年第1期|34-38|共5页
作者
石旺舟; 林揆训; 林璇英; 姚若河;
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作者单位

汕头大学非晶半导体实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.12;O472.3;
关键词
光发射谱; 非晶硅氢合金; 薄膜; 等离子体; PCVD;

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