40纳米MOSFET毫米波等效电路的弱反区关键参数提取

王林; 王军; 王丹丹

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40纳米MOSFET毫米波等效电路的弱反区关键参数提取

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以双端口网络的分析方法为依托,对40纳米MOSFET的毫米波小信号等效电路的弱反区参数进行提取.该等效电路基于准静态逼近,包括完整的本征准静态MOSFET模型、串联的栅极电阻、源极电阻、漏极电阻以及衬底耦合网络.元件参数提取分为寄生参数提取和本征部分提取,是通过其等效电路的开路短路法来简化等效电路以及分析Y参数所得,提取的结果具有物理意义以及其方法能够去嵌寄生效应,如器件衬底耦合.

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来源
《四川大学学报：自然科学版》 |2017年第3期|523-528|共6页
作者
王林; 王军; 王丹丹;
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作者单位

西南科技大学信息工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
二端口网络; 40纳米MOSFET; 弱反区; 毫米波; 参数提取;

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