强反型区下纳米MOSFET的射频噪声机理分析

曾洪波; 彭小梅; 王军

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强反型区下纳米MOSFET的射频噪声机理分析

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为了有效地表征纳米MOSFET强反型区下的射频噪声特性,研究了其噪声建模的方法.在分析45 nm MOSFET射频小信号等效电路参数提取结果的基础上,建立了该器件漏极电流噪声的简洁模型.该模型完整地表征了决定45 nm器件噪声机理的三个组成部分:本征漏极电流噪声、栅极管脚寄生电阻热噪声和栅漏衬底寄生电磁耦合噪声.噪声测量在验证所建模型准确性和精度的同时,还表明:45 nm MOSFET的本征漏极电流噪声为受抑制的散粒噪声,并且随着栅源偏压的降低受抑制性逐渐减弱直至消失.

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来源
《强激光与粒子束》|2019年第3期|31-35|共5页
作者
曾洪波; 彭小梅; 王军;
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作者单位

西南科技大学信息工程学院,四川绵阳 621010;

西南科技大学信息工程学院,四川绵阳 621010;

西南科技大学信息工程学院,四川绵阳 621010;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
纳米MOSFET; 受抑制散粒噪声; 射频; 噪声建模; 强反型区; 漏极电流噪声;

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