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闫继红; 宁兆元;
合肥学院数学与物理系,合肥,230022;
苏州大学物理学院,苏州,215006;
低介电常数材料; 氟化非晶碳薄膜; 微电子器件; 电阻; 电容;
机译:C_4F_8和Si_2H_6 / He用于低介电常数金属间层电介质的氟化非晶碳薄膜的等离子体化学气相沉积生长
机译:双键配置对氢稀释溅射低氢浓度低介电常数的氟化非晶碳薄膜热稳定性的影响
机译:C_8F_(18)等离子体CVD波纹沉积非晶碳氟化合物低介电常数绝缘膜
机译:具有低介电常数和热稳定性的氟化非晶碳薄膜的沉积
机译:通过等离子体增强的含硅的低介电常数碳氟化合物薄膜增强了化学气相沉积。
机译:非晶碳纳米薄膜中硼掺杂的能带隙调节
机译:用于低介电常数薄膜应用的碳氟化合物薄膜的化学气相沉积
机译:金属与非晶蒸发Ge薄膜和非晶溅射si薄膜接触的研究
机译:改善氟化非晶碳低介电常数材料热稳定性的方法
机译:氟化非晶碳低介电常数材料的热稳定性提高方法
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