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国产SOI 1750A微处理器抗辐射效应模拟试验

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文章介绍了对国内首次研制成功的航天用SOI工艺16位微处理器1750A进行抗辐射效应地面模拟试验的情况,分析了试验结果,初步预估了该器件的抗辐射效应能力,为该器件在空间环境中的应用提供了依据。

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来源
《科技与创新》 |2008年第2期|268-270|共3页
作者
王晶; 王月; 孙越强;
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作者单位

中国科学院空间科学与应用研究中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电子设备;
关键词
微处理器; SOI; 单粒子效应; HI-13串列加速器; 加速器模拟试验;

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