X射线与半导体探测器相互作用过程的仿真研究

谢利平; 何江华; 王良厚; 邹士亚

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X射线与半导体探测器相互作用过程的仿真研究

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采用MCNP4B仿真了能量为1～100keV的单能X射线与硅半导体探测器发生相互作用的过程.仿真结果表明,当X射线能量较低时,在探测器的硅半导体上沉积能量较低,随着X射线光子能量升高,沉积能量增大,但是在探测器的整个能量段,沉积能量并非线性增加,而是有一定的涨落,经检验,5个探测器在其工作能段范围内探测效率呈正态分布.

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来源
《核电子学与探测技术》 |2005年第6期|849-851|共3页
作者
谢利平; 何江华; 王良厚; 邹士亚;
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作者单位

防化研究院第二研究所,北京1044信箱,102205;

济南军区装备部防化技术室,250002;

防化研究院第二研究所,北京1044信箱,102205;

防化研究院第二研究所,北京1044信箱,102205;

防化研究院第二研究所,北京1044信箱,102205;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP319.9;
关键词
X射线光子; MCNP4B; 硅半导体探测器; 光电效应; 康普顿散射;

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