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低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜

         

摘要

采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜.实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向.若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500 eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子到达比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和(100)混合晶向.若Ar离子的入射角为35.26°,离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和微弱的(100)混合晶向.若Ar离子的入射角为54.7°,离子/原子到达比为0.06时,沉积的Ag膜呈很强的(111)择优取向.

著录项

  • 来源
    《核技术》 |2005年第1期|34-39|共6页
  • 作者单位

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050;

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050;

    中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 真空镀与气相镀法;
  • 关键词

    离子束辅助沉积; Ag膜; 沟道效应; 择优取向;

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