有机场效应晶体管输出特性的衰变与恢复

戚辉; 刘爱华; 姜春霞; 闫齐齐; 张达; 曾宪顺; 邓家春; 印寿根

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有机场效应晶体管输出特性的衰变与恢复

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制作了以并五苯作为有源层的有机场效应晶体管(OFETs)。实验观察表明,在原位条件下,器件有很好的输出特性曲线;但在空气中放置3个月后,输出特性曲线明显衰退,并且关态电流增大;为恢复器件性能,在真空条件下,对器件进行加热处理。实验结果表明,经过热处理的晶体管输出特性极大改善。因此,真空热处理可以使衰退器件的输出特性得到恢复。

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来源
《光电子．激光》 |2011年第7期|1000-1002|共3页
作者
戚辉; 刘爱华; 姜春霞; 闫齐齐; 张达; 曾宪顺; 邓家春; 印寿根;
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作者单位

天津理工大学材料物理研究所;

天津300191;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类非金属复合材料;
关键词
有机场效应晶体管(OFETs); 并五苯; 输出特性; 衰变; 恢复;

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