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李世国; 龚谦; 王瑞春; 王新中; 陈朋; 曹春芳; 岳丽; 刘庆博;
深圳信息职业技术学院;
电子通信技术系;
深圳518029;
中国科学院;
上海微系统与信息技术研究所;
信息功能材料国家重点实验室;
上海200050;
激光器; 量子点; 腐蚀溶液; 腐蚀方向;
机译:生长后混合制备的单片InAs / InAlGaAs / InP量子点阱扩展腔激光器
机译:INAS / InP(311)B量子点激光器具有不同QD尺寸的动力特性及调制响应函数的研究
机译:MOVPE生长的InAs / InP量子点和量子点Fabry-Perot激光器的非线性和动态特性
机译:1.3毫米InAs量子点激光器的表征和建模。
机译:消除用于制备1.3μm量子点激光器的InAs / GaAs量子点中的双峰尺寸
机译:在INP / INAS量子划分的双模注射下高效非退化的四波混合在1.55μm的INP / INASum-Dash和量子点激光器下
机译:Inp衬底上的Inas量子点激光器
机译:InP InP / ZnS / InP量子点的制备方法和InP / ZnS核/壳量子点的制备方法
机译:InP /制备InP量子点的方法以及制备包含相同分子的核/壳量子点的方法
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