引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备

张鹤; 郑新霞; 张晓丹; 刘伯飞; 林泉; 樊正海; 魏长春; 孙建; 耿新华; 赵颖

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引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备

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为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池。从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性。通过调整μc-Si:H底电池厚度考察三结电池的性能变化,结果发现,受中间电池的限制,该系列电池性能无显著变化。μc-Si:H电池量子效率(QE)测试结果表明,ZnO背反射层(BR)主要辅助800 nm以上波长光吸收。初步制备的a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池的转换效率(Eff)约为6.5%(Isc=4.75 mA/cm2,Voc=2V,FF=0.71)。

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来源
《光电子．激光》 |2011年第4期|495-498|共4页
作者
张鹤; 郑新霞; 张晓丹; 刘伯飞; 林泉; 樊正海; 魏长春; 孙建; 耿新华; 赵颖;
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作者单位

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;

天津300071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
PIN型Si基薄膜太阳电池; 三结电池; 透明导电氧化物(TCO)衬底; 微晶硅(μc-Si:H)电池; ZnO背反射层(BR);

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