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高功率GaAlAs/GaAs量子阱SCH半导体激光器

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利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱结构材料。样品的测量结果表明，样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管，室温连续工作，功率为１Ｗ，斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ。

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来源
《光电子．激光》 |1999年第6期|505-507|共3页
作者
宋晓伟; 张宝顺; 李梅; 薄报学;
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作者单位

长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
半导体激光器; 量子阱; GaAs; SCH;

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