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低温; 氢化非晶硅; 薄膜生长; ICP; 等离子体;
机译:介质阻挡放电增强CVD法室温生长氢化非晶硅膜
机译:介质阻挡放电增强CVD在室温下生长氢化非晶硅膜
机译:高质量的氢化非晶硅薄膜,具有增强的基于AL2O3的ICP反应器中的表面钝化的生长速率
机译:PECVD氢化非晶硅膜和HWCVD氢化非晶硅膜的质子NMR研究。
机译:低温生长的氢化非晶硅氧氮化硅膜的水蒸气降解作用
机译:在低温下生长的氢化非晶硅氧氮化硅膜的水蒸气降解
机译:氢化非晶硅合金薄膜的生长机理和表征。最终分包合同报告,1991年2月15日至1994年4月14日
机译:是形成氢化非晶硅或非晶硅合金膜的方式
机译:一种氢化的含非晶硅的复合胶体的制备方法和用氢化的非晶硅复合层的胶体封装物,氢化的非晶的硅复合胶体的氢化物和含硅的复合层封装物的封装方法及其用途
机译:非晶硅氢化物膜的形成和利用该膜的光伏器件
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