IGBT的低温特性及计算机仿真

张玉林; 胡高宏; 丘明; 齐智平

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IGBT的低温特性及计算机仿真

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研究了非穿通型(Non-Punch Through,NPT)IGBT在77～300K之间的暂稳态特性.研究表明,低温环境下NPT-IGBT的通态压降、寄生PNP晶体管电流增益和关断时间均有减小,门槛电压和跨导增加.在总结并改进硅材料主要参数在低温区的温度模型基础上,分析了NPT-IGBT低温特性的物理机制,并实现其关键参数随温度变化趋势的计算机仿真,仿真结果与实验数据取得一致.

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来源
《电力电子技术》 |2006年第1期|120-122|共3页
作者
张玉林; 胡高宏; 丘明; 齐智平;
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作者单位

中国科学院电工研究所,北京,100080;

中国科学院电工研究所,北京,100080;

中国科学院电工研究所,北京,100080;

中国科学院电工研究所,北京,100080;

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正文语种 chi
中图分类参数及测量;
关键词
晶体管; 低温; 仿真/绝缘栅双极晶体管; 非穿通型;

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