IGBT发展概述

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本文概述了IGBT自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近（下层）结构改进（透明集电区）、耐压层附近（中层）结构改进（NPT、FS／SPT等）和近表面层（上层）结构改进（沟槽栅结构、注入增强结构等），以及由它们组合成的NPT—IGBT、TrenchIGBT、FS—IGBT、Trench FS-IGBT、SPT、SPT＋、IEGT、HiGT、CSTBT等。

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来源
《电力电子》 |2006年第5期|10-15|共6页
作者
亢宝位;
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作者单位

北京工业大学;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN322.8;
关键词
IGBT; 结构改进; 性能改进; 增强结构; IEGT; SPT; 集电区; 集电结;

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