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孙再吉;
GaN HEMT 雷达系统 发射功率 东芝公司;
机译:•台湾GPT技术采用的NTT先进技术用于GaN功率技术
机译:静电组件采用静电组件的富含缺陷铼二硫化铼/石墨碳氮化物异质结的容易施工,采用快速电荷分离和光活性增强
机译:在采用AIN / GaN超晶格夹层的GaN /蓝宝石模板上生长的Al_xGa_(1-x)N / GaN多量子阱中大气窗口处的子带间跃迁
机译:直接比较采用无金技术在200mm硅基GaN上处理的基于GaN的e-模式架构(嵌入式MISHEMT和p-GaN HEMT)
机译:采用CMOS和GaN技术的分布式MPPT的高度集成开关模式电源转换器。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:超宽带GAN HEMT功率放大器采用实用混合频率采用实际频率技术
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:半导体元件的单晶蓝宝石基板,其制造方法和GaN系统半导体发光元件以及采用该基板的GaN系统半导体白光元件
机译:GaN基半导体发光元件,发光元件组件,发光装置,GaN基半导体发光元件的制造方法,GaN基半导体发光元件的驱动方法以及图像显示装置
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