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砷化镓（GaAs）半导体器件,单晶的现状及发展动向

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本文从应用角度综合评述了国外近年来砷化镓集成电路、器件和单晶材料领域的进展概况以及目前存在的主要问题，并预测了今后的发展趋势。

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来源
《半导体杂志》 |1994年第4期|1-7|共7页
作者
管丕恺;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.23;
关键词
GaAs半导体器件; 半导体器件; 集成电路; 单晶;

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