沉积压力对氢化非晶硅薄膜特性的影响

袁俊宝; 杨雯; 陈小波; 杨培志; 宋肇宁

首页> 中文期刊> 《光谱学与光谱分析》 >沉积压力对氢化非晶硅薄膜特性的影响

沉积压力对氢化非晶硅薄膜特性的影响

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统 ,以乙硅烷和氢气为气源 ,普通钠钙玻璃为衬底制备了氢化非晶硅(a-S i:H )薄膜 ,研究了沉积压力对非晶硅薄膜的沉积速率、光学带隙以及结构因子的影响.采用台阶仪、紫外可见分光光度计、傅里叶变换红外光谱仪和扫描电子显微镜等手段分别表征了a-Si: H薄膜的沉积速率 ,光学带隙、结构因子和表面形貌.结果表明 :随着沉积压力的增加 ,沉积速率呈现先上升后下降的趋势 ,光学带隙不断下降.当沉积压力小于210 Pa时 ,以SiH键存在的 H原子较多 ,而以SiH2 或SiH3 等形式存在的 H较少 ;当沉积压力大于210 Pa时 ,以SiH2 ,(SiH2 )n 或SiH3 等形式存在的 H较多.通过结构因子的计算 ,发现沉积压力在110~210 Pa的范围内沉积的薄膜质量较好.%Hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H ) thin films on soda-lime glass substrates were deposited by plasma en-hanced chemical vapor deposition (PECVD) using disilane and hydrogen as source gases .To study the influence of deposition pressure on the deposition rate ,optical band gap and structure factor ,a surface profilometer ,an ultraviolet-visible spectrometer , a Fourier transform infrared (FTIR) spectrometer and a scanning electron microscopy (SEM ) were used to characterize the de-posited thin films .It is found that the deposition rate firstly increased and then decreased and the optical band gap monotonically decreased with the increasing deposition pressure .Moreover ,the formation of SiH bond was preferable to the formation of SH 2 or SiH3 bond when the deposition pressure was less than 210 Pa ,while it was opposite when the deposition pressure is higher than 210 Pa .Finally ,the deposition pressure in the range of 110~210 Pa was found to be more suitable for the preparation of high quality a-Si: H thin films .

著录项

来源
《光谱学与光谱分析》 |2016年第2期|326-330|共5页
作者
袁俊宝; 杨雯; 陈小波; 杨培志; 宋肇宁;
展开▼
作者单位

云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室 ,云南昆明 650092;

云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室 ,云南昆明 650092;

云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室 ,云南昆明 650092;

四川文理学院物理与机电工程学院 ,四川达州 635000;

云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室 ,云南昆明 650092;

Department of Physics and Astronomy ,University of Toledo ,Toledo OH 43606 ,USA;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类非晶态;
关键词
PECVD; 沉积压力; 沉积速率; 光学带隙; 结构因子;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 衬底温度对氢化非晶硅薄膜特性的影响 [J] . 袁俊宝 ,杨雯 ,陈小波 . 人工晶体学报 . 2016,第2期
2. 用HW-MWECR CVD系统沉积大面积均匀氢化非晶硅薄膜的研究 [J] . 王立富 ,胡跃辉 ,张祥文 . 陶瓷学报 . 2009,第002期
3. MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜 [J] . 刘国汉 ,丁毅 ,何斌 . 兰州大学学报（自然科学版） . 2006,第002期
4. 热丝辅助MW ECR CVD技术高速沉积高质量氢化非晶硅薄膜(英文) [J] . 周怀恩 ,陈光华 ,朱秀红 . 人工晶体学报 . 2005,第3期
5. 热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜 [J] . 吴越颖 ,胡跃辉 ,阴生毅 . 功能材料 . 2004,第0z1期
6. 热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜 [C] . 吴越颖 ,胡跃辉 ,阴生毅 . 第五届中国功能材料及其学术会议 . 2004
7. 高速沉积大面积均匀氢化非晶硅薄膜及其优异的光电特性的研究 [A] . 胡跃辉 . 2005

沉积压力对氢化非晶硅薄膜特性的影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅