InN-containing GaN HFETs.

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InN-containing GaN HFETs.

机译：含InN的GaN HFET。

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Advantages and drawbacks of InN-containing GaN based heterostructure field-effect transistors (HFETs) are reviewed in this Feature Article. In particular, the article focuses on the fundamental processes and experimental observations associated with hot-electron transport in two-dimensional electron gas (2DEG) channels subjected to high electric fields. Complementary information is also obtained from fluctuations.

机译：这篇专题文章回顾了含InN的GaN基异质结构场效应晶体管（HFET）的优缺点。特别是，本文重点关注与二维电子气（2DEG）通道中受到强电场影响的热电子传输有关的基本过程和实验观察。补充信息也可以从波动中获得。

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《Advanced Materials》 |2009年第26期|3|共1页
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