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Preparation And Characteristics Of Transparent P-type Zno Film By Al and N Co-doping Method

机译：Al和N共掺杂法制备透明P型Zno薄膜及其特性

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Al-N co-doped ZnO films were fabricated by gaseous ammonia annealing at various temperatures. The structure and the electrical properties of Al-N-doped ZnO films strongly depend on the annealing temperature. XRD and SEM analysis indicate that the ZnO films possess a good crystallinity with c-axis orientation, uniform thickness and dense surface. Optical transmission spectra show a high transmittance (～85%) in the visible region. Hall measurement demonstrates that ZnO films have p-type conduction with high carrier concentration of 8.3 × 10~(18) cm~(-3) and low resistivity of 25.0 Ω cm when the annealing temperature is 700 ℃. Also the growth process of Al-N co-doped at various temperatures is discussed in detail.
机译：通过在不同温度下进行气态氨退火制备了Al-N共掺杂ZnO薄膜。 Al-N掺杂的ZnO薄膜的结构和电学特性在很大程度上取决于退火温度。 XRD和SEM分析表明，ZnO薄膜具有良好的结晶度，c轴取向，均匀的厚度和致密的表面。光学透射光谱在可见光区域显示出高透射率（〜85％）。霍尔测量表明，当退火温度为700℃时，ZnO薄膜具有p型导电性，载流子浓度高，为8.3×10〜（18）cm〜（-3），低电阻率为25.0Ωcm。还详细讨论了在各种温度下共掺杂Al-N的生长过程。

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