• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Applied Surface Science >Effect of GaAs(100) 2° surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots
【24h】

Effect of GaAs(100) 2° surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots

机译：GaAs（100）2°表面取向错误对MOCVD生长的InAs量子点的形成和光学性质的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The influence of GaAs(100) 2° substrate misorientation on the formation and optical properties of InAs quantum dots (QDs) has been studied in compare with dots on exact GaAs(100) substrates. It is shown that, while QDs on exact substrates have only one dominant size, dots on misoriented substrates are formed in lines with a clear bimodal size distribution. Room temperature photoluminescence measurements show that QDs on misoriented substrates have narrower FWHM, longer emission wavelength and much larger PL intensity relative to those of dots on exact substrates. However, our rapid thermal annealing (RTA) experiments indicate that annealing shows a stronger effect on dots with misoriented substrates by greatly accelerating the degradation of material quality.
机译：与精确的GaAs（100）衬底上的点相比，已经研究了GaAs（100）2°衬底取向错误对InAs量子点（QDs）的形成和光学性能的影响。结果表明，尽管精确基板上的量子点只有一个主要尺寸，但取向不正确的基板上的点却以清晰的双峰尺寸分布成直线形成。室温光致发光测量表明，相对于精确基板上的点，取向不正确的基板上的QD具有更窄的FWHM，更长的发射波长和更大的PL强度。但是，我们的快速热退火（RTA）实验表明，退火会大大加速材料质量的下降，从而对带有取向错误的基板的点显示出更强的影响。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号