机译:基于模型的BCl_3 / Ar和BCl_3 / CHF_3 / Ar等离子体耦合ZrO_2刻蚀机理的分析
Department of Control and Instrumentation Engineering, Korea University, Chungnam, Rep. of Korea;
ZrO_2; etch rate; dissociation; ionization; etch mechanism; BCl_3Ar and BCl_3/CHF_3/Ar plasma modeling;
机译:在感应耦合等离子体中使用Ar / CHF_3,Ar / Cl_2和Ar / BCl_3气体化学方法对TiN膜进行干法刻蚀
机译:在BCl_3,BCl_3 / Ar和BCl_3 / Ne中进行GaAs平面电感耦合等离子体刻蚀的比较
机译:电感耦合BCl_3 / Ar等离子体中ZrO_2薄膜的腐蚀机理
机译:BCl_3 / Cl_2 / Ar中In_(1-x-y)Al_xGa_yAs的电感耦合等离子体刻蚀
机译:使用电感耦合等离子体质谱法分析砷,镉,铅和汞浓度的砷,镉,铅和汞的浓度=使用光谱法分析大麻油中的砷,镉,铅和汞浓度
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:使用Ar / CF4诱导等离子体的Bi4-XeuxtiO12(BET)薄膜的蚀刻机理
机译:在BCl3 / ar和Cl2 / ar中的III-V锑化物的电感耦合等离子体蚀刻;真空科学与技术杂志