• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>IEEE Microwave and Guided Wave Letters >Single- and dual-feedback transimpedance amplifiers implemented by SiGe HBT technology
【24h】

Single- and dual-feedback transimpedance amplifiers implemented by SiGe HBT technology

机译：通过SiGe HBT技术实现的单反馈和双反馈互阻放大器

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Monolithically integrated SiGe/Si heterojunction bipolar transistor (HBT) transimpedance amplifiers, with single- and dual-feedback configurations, have been designed, fabricated, and characterized. The single-feedback amplifier showed transimpedance gain and bandwidth of 45.2 dB/spl Omega/ and 3.2 GHz, respectively. The dual-feedback version exhibits improved gain and bandwidth of 47.4 dB/spl Omega/ and 3.3 GHz, respectively. Their performance characteristics are excellent in terms of their application in communication systems.
机译：具有单反馈和双反馈配置的单片集成SiGe / Si异质结双极晶体管（HBT）跨阻放大器已被设计，制造和表征。单反馈放大器的互阻抗增益和带宽分别为45.2 dB / spl Omega /和3.2 GHz。双反馈版本的增益和带宽分别提高了47.4 dB / spl Omega /和3.3 GHz。就其在通信系统中的应用而言，它们的性能特征非常出色。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号