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【24h】

Simulations of Memristors Using the Poincaré Map Approach

机译：使用POINCARÉ地图方法模拟忆耳的模拟

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In many memristor models the internal variable is related to the width of a conductive layer and is therefore limited by the physical dimensions of the device. The necessity of keeping the internal variable within allowable limits may introduce discontinuities in right hand sides of differential equations describing dynamics of circuits with memristors. Such discontinuities are difficult to handle using standard numerical integration methods. An approach based on the concept of a Poincare map is proposed to solve these difficulties. Two examples are discussed to show the usefulness of the proposed technique.
机译：在许多Memristor模型中，内部变量与导电层的宽度有关，因此由设备的物理尺寸受到限制。保持允许限制内的内部变量的必要性可能引入描述与存储器电路动态的微分方程的右侧侧面的不连续性。使用标准数值集成方法难以处理这种不连续性。提出了一种基于庞然保罗地图概念的方法来解决这些困难。讨论了两个示例以显示所提出的技术的有用性。

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