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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Switching Time Reduction for Electrostatic Torsional Micromirrors Using Input Shaping
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Switching Time Reduction for Electrostatic Torsional Micromirrors Using Input Shaping

机译：使用输入整形减少静电扭转微镜的开关时间

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摘要

We have demonstrated switching time reduction for microfabricated, vertical comb-based electrostatic torsional micromirror actuators by suppressing residual vibration using pre-shaped command inputs. The step input is pre-shaped by pulse-impulse convolution method, one of the impulse shaping filters. The micromirror actuators tested in experiment are made of single-crystal silicon and driven by vertical comb sets in torsional direction. Before shaping the input signal, the measured 2% settling time is 25 ms with percent overshoot of 58% for a step voltage input to induce the angular motion in micromirror actuator. The improved settling time is observed to be 8 ms with 5.8% overshoot when the pre-shaped input is applied. The input-shaping technique is applied to two types of microactuators with different dynamic characteristics in order to verify its feasibility on various systems, and it is experimentally shown that the pre-shaped input command successfully suppresses the residual vibration for both highly underdamped microactuators.
机译：我们已经证明了通过使用预成形的命令输入来抑制残留振动，从而减少了微细的，基于垂直梳齿的静电扭转微镜执行器的开关时间。步进输入通过脉冲整形方法之一的脉冲整形卷积方法进行预整形。实验中测试的微镜致动器由单晶硅制成，并由垂直梳齿组沿扭转方向驱动。在对输入信号进行整形之前，对于步进电压输入以在微镜执行器中引起角运动，测得的2％稳定时间为25 ms，过冲百分比为58％。使用预整形输入时，观察到的改善的建立时间为8 ms，过冲为5.8％。输入整形技术被应用于具有不同动态特性的两种类型的微执行器，以验证其在各种系统上的可行性，并且实验表明，预成形的输入命令成功抑制了两个高度欠阻尼的微执行器的残余振动。

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2010年第5issue1期|P.054102.1-054102.5|共5页
  • 作者

    Youngkee Eun; Bongwon Jeong; Jongbaeg Kim;

  • 作者单位

    School of Mechanical Engineering, Yonsei University, 134 Shinchon-dong, Seodaemun-ku, Seoul 120-749, Republic of Korea;

    rnSchool of Mechanical Engineering, Yonsei University, 134 Shinchon-dong, Seodaemun-ku, Seoul 120-749, Republic of Korea;

    rnSchool of Mechanical Engineering, Yonsei University, 134 Shinchon-dong, Seodaemun-ku, Seoul 120-749, Republic of Korea;

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