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机译:使用用光致抗蚀剂掩模的碳化在图案化的蓝宝石衬底中用空气隧道制造GaN模板的GaN模板
Department of Materials Science and Engineering Korea University Seoul 02841 Republic of Korea;
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机译:使用原位碳化光致抗蚀剂掩膜在蓝宝石衬底上外延生长GaN
机译:选择性光致抗蚀剂碳化在图案化蓝宝石衬底上的形成
机译:用于发光二极管的图案蓝宝石基板上的选择性掩模形成和氮化镓模板制造
机译:高压溶液法在带有各种金属掩模的GaN /蓝宝石衬底上生长GaN
机译:使用掩埋的光刻胶掩模方法制造多层,独立式,SU-8结构
机译:通过无掩模化学刻蚀制备的涂有银纳米颗粒的蓝宝石图案衬底上的GaN基发光二极管的性能
机译:用于发光二极管的图案蓝宝石基板上的选择性掩模形成和氮化镓模板制造