...
机译:交流负载下焊点的电迁移分析:平均失效时间模型
Electronic Packaging Laboratory, Department of Civil, Structural and Environmental Engineering,University at Buffalo, The State University of New York, Buffalo, New York 14260, USA;
Electronic Packaging Laboratory, Department of Civil, Structural and Environmental Engineering,University at Buffalo, The State University of New York, Buffalo, New York 14260, USA;
机译:出版者的注释:“交流负载下焊点的电迁移分析:平均失效时间模型” [J.应用物理111,063703(2012)]
机译:交流负载下焊点的电迁移分析:平均失效时间模型
机译:出版者的注释:“交流负载下焊点的电迁移分析:平均失效时间模型” [J.应用物理111,063703(2012)]
机译:使用void生长模拟倒装芯片焊接接头的电迁移失效分析和同步辐射X射线ICOROTOMOG-APHY
机译:时变电流负载下电子封装焊点中电迁移和热迁移的破坏机理。
机译:基于离散空隙形成的倒装芯片焊点失效的电迁移机理
机译:建立对BGA封装中无铅焊点的影响力的估计方法(1)抗衰式焊接损失模式的依赖性损失载荷株的依赖性损失载荷株对PWB菌株的影响