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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >On the formation of vacancy defects in Ⅲ-nitride semiconductors
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On the formation of vacancy defects in Ⅲ-nitride semiconductors

机译：Ⅲ族氮化物半导体中空位缺陷的形成

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摘要

In-grown group Ⅲ (cation) vacancies (V_(Ga), V_(AL) V_(In)) in GaN, A1N and InN tend to be complexed with donor-type defects on the N sublattice, such as 0N or the N vacancy (V_N). The cation vacancies and their complexes are generally deep acceptors, and hence they compensate for the n-type conductivity and add to the scattering centers limiting the carrier mobility in these materials. This work presents results obtained with positron annihilation spectroscopy in a variety of GaN, A1N, InN samples from different sources. The vacancy-donor complexes are different in these three materials, and their importance in determining the opto-electronic properties of the material varies as well. The formation of these defects is discussed in the light of the differences in the growth methods.
机译：GaN，AlN和InN中的生长中的Ⅲ族（阳离子）空位（V_（Ga），V_（AL）V_（In））往往与N子晶格上的施主型缺陷（例如0N或N）复合空缺（V_N）。阳离子空位及其络合物通常是深受体，因此它们补偿了n型电导率并增加了散射中心，从而限制了这些材料中的载流子迁移率。这项工作介绍了用正电子an没光谱法在不同来源的各种GaN，AlN，InN样品中获得的结果。空位给体配合物在这三种材料中是不同的，并且它们在确定材料的光电特性中的重要性也不同。根据生长方法的差异讨论了这些缺陷的形成。

著录项

  • 来源
    《Journal of Crystal Growth》 |2012年第1期|p.93-97|共5页
  • 作者

    F. Tuomisto; J.-M. Maki; C. Rauch; I. Makkonen;

  • 作者单位

    Department of Applied Physics, Aalto University, P.O. Box 11100, FI-00076 Aaito Espoo, Finland;

    Department of Applied Physics, Aalto University, P.O. Box 11100, FI-00076 Aaito Espoo, Finland;

    Department of Applied Physics, Aalto University, P.O. Box 11100, FI-00076 Aaito Espoo, Finland;

    Department of Applied Physics, Aalto University, P.O. Box 11100, FI-00076 Aaito Espoo, Finland;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    A1. characterization; A1. defects; B1. nitrides; B2. semiconducting iii-v materials;

    机译：A1。表征;A1。缺陷B1。氮化物B2。半导体iii-v材料;

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