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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Stacking faults blocking process in (11 -22) semipolar GaN growth on sapphire using asymmetric lateral epitaxy
【24h】

Stacking faults blocking process in (11 -22) semipolar GaN growth on sapphire using asymmetric lateral epitaxy

机译：使用不对称横向外延在蓝宝石上（11 -22）半极性GaN生长中的堆垛层错阻挡过程

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摘要

We have succeeded in effectively stopping the propagation of basal stacking faults in (1 1 -2 2) semipolar GaN films on sapphire using an original epitaxial lateral overgrowth process. The growth conditions were chosen to enhance the growth rate along the [0001] inclined direction. Thus, the crystal expands laterally until growth above the a-facet of the adjacent crystal seed, where the basal stacking faults emerge. The growth anisotropy was monitored using scanning electron microscopy. The faults filtering and improvement of crystalline quality were attested by transmission electron microscopy, X-ray diffraction and low temperature photoluminescence, which exhibits high intensity band-edge emission with low stacking faults related emission.
机译：我们已经成功地使用原始的外延横向过生长工艺有效地阻止了蓝宝石上的（1 1 -2 2）半极性GaN膜中的基础堆叠缺陷的传播。选择生长条件以提高沿[0001]倾斜方向的生长速率。因此，晶体横向膨胀，直到在相邻晶种的a面之上生长，并在此处出现基础堆积缺陷。使用扫描电子显微镜监测生长各向异性。通过透射电子显微镜，X射线衍射和低温光致发光证明了缺陷的过滤和晶体质量的改善，其表现出高强度的带边缘发射和低的堆叠缺陷相关发射。

著录项

  • 来源
    《Journal of Crystal Growth》 |2010年第19期|p.2625-2630|共6页
  • 作者

    N. Kriouche; rnP. Vennegues; rnM. Nemoz; rnG. Nataf; rnP. De Mierry;

  • 作者单位

    Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Rue B. Gregory, Sophia-Antipolis, 06560 Valbonne, France;

    rnCentre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Rue B. Gregory, Sophia-Antipolis, 06560 Valbonne, France;

    rnCentre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Rue B. Gregory, Sophia-Antipolis, 06560 Valbonne, France;

    rnCentre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Rue B. Gregory, Sophia-Antipolis, 06560 Valbonne, France;

    rnCentre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Rue B. Gregory, Sophia-Antipolis, 06560 Valbonne, France;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    A1. Basal stacking faults; A3. Epitaxial lateral overgrowth; A3. MOVPE; B2. Semipolar GaN;

    机译：A1。基础堆叠故障;A3。外延侧向过度生长;A3。 MOVPE;B2。半极性GaN;

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