HVPE of scandium nitride on 6H-SiC(0001)

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2008年第6期|p.1075-1080|共6页
• 作者

  J.H. Edgar; T. Bohnen; P.R. Hageman;

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• 作者单位

  Applied Materials Science, Institute for Molecules and Materials, Radboud University, Toernooiveld 1, 6525 ED Nijmegen, The Netherlands;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A1. Impurities; A1. X-ray diffraction; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2 Semiconducting III-V materials;

  机译：A1。杂质;A1。 X射线衍射;A3。氢化物气相外延;B1。氮化物;B2半导体III-V材料;