MOVPE preparation of InGaAs(l00) surface reconstructions employing transient in-situ RDS

著录项

• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2008年第9期|p.2334-2338|共5页
• 作者

  U. Seidel; T. Hannappel;

  展开▼
• 作者单位

  Hahn-Meitner-Institute, Glienicker Street 100, 14109 Berlin, Germany;

  展开▼
• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A1. Interfaces; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapour-phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

  机译：A1。接口;A1。表面结构;A3。金属有机蒸气相外延;B2。半导体III-V材料;