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InGaAsP材料的厚度增强因子随选择外延MOVPE生长条件的变化

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利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO<,2>掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族源流量等)对厚度增强因子的影响.随着生长压力的增加,生长速率下降,选择性增强;随着In源流量的增加,生长速率上升,选择性下降.制备了最大厚度增强因子达3.4的InGaAsP体材料.通过扫描电镜观察,得到了较平坦的生长界面和表面形貌.为用选择生长法制备分布反馈激光器与模斑转换器集成器件提供有效的方法.

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来源
《第十五届全国激光学术会议》|2001年|456-458|共3页
会议地点武汉
作者
邱伟彬; 董杰; 周帆; 王圩;
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作者单位

中国光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.054.4;
关键词
厚度增强因子; 半导体材料; 外延生长; 选择生长法;

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