A new initial growth method for pure cubic GaN on GaAs(0 0 1)

Hong Chen; Hong-fei Liu; Zhi-qiang li

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A new initial growth method for pure cubic GaN on GaAs(0 0 1)

机译：GaAs（0 0 1）上纯立方GaN的新的初始生长方法

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A new method for growing a GaN initial layer on a GaAs(0 0 1) substate is reported. The experiments show that the optimized growth conition for a smooth GaN initial laeyr is to grow a two monolayer thick layer at 600 deg C under As pressure. The pure cubic GaN films of 500 nm has been obtained on such an initial layer, the X-ray diffraction and photoluminescence show that the C-GaN film has a very high quality. There is no yellow or DA band emission of PL spectrum and the FWHM of the X-ray rocking curve is only 10 min.

机译：报道了一种在GaAs（0 0 1）子态上生长GaN初始层的新方法。实验表明，光滑的GaN初始层的最佳生长条件是在600摄氏度的As压力下生长两个单层厚层。在这样的初始层上获得了500 nm的纯立方GaN膜，X射线衍射和光致发光表明C-GaN膜具有很高的质量。 PL光谱没有黄色或DA波段发射，并且X射线摇摆曲线的FWHM仅10分钟。

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来源
《Journal of Crystal Growth》 |1999年第5期|p.336-340|共5页
作者
Hong Chen; Hong-fei Liu; Zhi-qiang li;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类晶体学;
关键词
MBE; GaN; GaAs;

机译：MBE;氮化镓;砷化镓;

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