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义仡;
无;
氮化镓; 砷化镓; 生长;
机译:具有立方GaN(111)外延中间层的GaAs(111)B上MOVPE生长的GaN层的表征
机译:离子注入GaAs组成的基片作用氮离子上的生长IN的GaN层自由基束外延吸气
机译:外延膜和GaN GaN_xAs_(1-X)在基片上和单片多孔的GaAs子层Çphianites
机译:通过定期插入低温GaN缓冲层来改善GaAs(111)A上厚GaN层的晶体质量
机译:通过化学束外延在Ge基片上外延生长GaAs。
机译:使用原子层沉积在GaAs(001)和(111)上外延单晶Y2O3
机译:Si(111)上分子束外延生长的掺杂GaN层的发光(111)。
机译:纤锌矿GaN在(111)Gaas上的晶体生长
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:在石墨烯层上生长GaN层的方法和使用在石墨烯层上的GaN层的发光器件
机译:磁记录材料产品-通过湿-湿共挤出流延在薄膜基片上,并在其后附有磁体,从而形成厚的上磁性层和薄的下非磁性层
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