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机译:通过化学气相沉积法生长的大型锥形GaN棒
Beijing Inst Technol, Res Ctr Mat Sci, Beijing 100081, Peoples R China;
Beijing Inst Technol, Sch Sci, Beijing 100081, Peoples R China;
chemical vapour deposition; crystal morphology; nitrides; semiconducting; III-V materials; GALLIUM NITRIDE NANORODS; LIGHT-EMITTING DEVICES; ZNO NANONEEDLES; PHASE EPITAXY; NANOWIRES; SEMICONDUCTORS; DISCHARGE; ROUTE; BLUE;
机译:使用电感耦合等离子体化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积技术的GaN / AlGaN HEMT钝化性能分析
机译:电感耦合等离子体化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积技术的GaN / AlGaN Hemts钝化性能分析
机译:InGaN中间层厚度对通过金属有机化学气相沉积法生长的GaN层的影响
机译:通过金属有机化学气相沉积法在蓝宝石上生长的GaN的红外反射率研究
机译:化学气相沉积利用石墨烯的悬浮谐振器纳米机电研究
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:电感耦合等离子体化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积技术的GaN / AlGaN Hemts钝化性能分析
机译:化学气相沉积法生长mos2原子层的应变和结构非均匀性。