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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Growth of self-assembled nanosize InGaN/GaN multiple quantum wells embedded in amorphous SiN_x by metalorganic vapor phase epitaxy
【24h】

Growth of self-assembled nanosize InGaN/GaN multiple quantum wells embedded in amorphous SiN_x by metalorganic vapor phase epitaxy

机译：金属有机气相外延生长嵌入非晶SiN_x中的自组装纳米尺寸InGaN / GaN多量子阱

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We report on the growth and photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) grown on GaN nanocrystals embedded in amorphous SiN_x, grown on a p-type Si(100) substrate. p-Type Si(100) was thermally nitridated using NH_3 to form an amorphous SiN_x layer in a metalorganic vapor phase epitaxy system. GaN nanocrystals were then grown on the SiN_x layer, followed by the growth of InGaN/GaN MQWs on the GaN nanocrystals. These nanosize MQWs were capped with amorphous SiN_x in a plasma enhanced chemical vapor deposition system. The findings show that nanosize InGaN/GaN MQWs can be embedded in amorphous SiN_x grown on p-type Si(100) and that these self-assembled nanostructures may be used as new nanosize light-emitting sources as evidenced by photoluminescence from nanosize MQWs.
机译：我们报告生长在InGaN / GaN多量子阱（MQWs）上的生长和光致发光，该量子阱生长在嵌入在p型Si（100）衬底上的非晶SiN_x中的GaN纳米晶体上。在金属有机气相外延系统中，使用NH_3对p型Si（100）进行热氮化，以形成非晶SiN_x层。然后在SiN_x层上生长GaN纳米晶体，然后在GaN纳米晶体上生长InGaN / GaN MQW。这些纳米尺寸的MQW在等离子增强化学气相沉积系统中被非晶SiN_x覆盖。研究结果表明，纳米级InGaN / GaN MQW可以嵌入在p型Si（100）上生长的非晶SiN_x中，并且这些自组装纳米结构可以用作新的纳米级发光源，这由纳米级MQW的光致发光证明。

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