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【24h】

Bulk-or interface-limited electrical conductions in IrO_2/(Ba,Sr)TiO_3/IrO_2 thin film capacitors

机译：IrO_2 /（Ba，Sr）TiO_3 / IrO_2薄膜电容器中的体或界面受限电导

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The electrical conduction behavior of sputter-grown(Ba,Sr)TiO_3 thin films having IrO_2 electrodes were studied under the assumption of a fully accumulated film having a negative space charge density of 1×10~9 cm~-3 at 25 deg. C. The negative space charge decreased the actual field strength in the film and resulted in a decreasing leakage current with increasing film thickness at a given applied field. The current conduction in a very low field, roughly less than 150 KV/cm, showed a linear current density-voltage(J-V)behavior at 25 deg. C. From that field to about 420 KV/cm, the bulk-limited Poole-Frenke mechanism controlled the overall conduction property at room temperature.
机译：假设在25°C时具有1×10〜9 cm〜-3的负空间电荷密度的完全积累膜的条件下，研究了具有IrO_2电极的溅射生长（Ba，Sr）TiO_3薄膜的导电行为。 C.负空间电荷降低了膜中的实际场强，并导致在给定的施加场中，随着膜厚度的增加，漏电流减小。在非常低的电场（大约小于150 KV / cm）中的电流传导在25度时表现出线性电流密度-电压（J-V）行为。 C.从该场到约420 KV / cm，有限体积的Poole-Frenke机构控制着室温下的整体导电性能。

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